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中瑞祥廠家場效應管測試儀使用方法注意事項

注意事項

    1、開機前應把Idm開關和壓開關撥在OFF 位上。

    2、測量Idm 和Gfs 時須插好被測管，夾好S2 夾頭后方可打開 Idm 測量開關，測量畢后須關斷Idm開關，才可松開S2 鱷魚夾頭。不允許在沒有關閉Idm開關時就去松開S2 鱷魚夾頭，這樣會產(chǎn)生大電流火花，很容易損壞被測器件。

    3、測量 Idm1 時電流表讀數(shù)可能會有飄移，電流越大相對飄移也越大，這是被測管發(fā)熱所至，系正?，F(xiàn)象，可以采用快速讀數(shù)或等其熱穩(wěn)定后再讀數(shù)（用于大電流致性測量時更需要采用快數(shù)讀數(shù)的方法）。 般N 溝導管電流的熱飄移，數(shù)字表讀數(shù)會逐漸增大；P 溝導管的熱飄移，數(shù)字表讀數(shù)會逐漸減小。 若被測管在測試Idm1 電流時數(shù)字表尾數(shù)讀數(shù)無規(guī)則的波動，不同于熱飄移，則應考慮可能是該器件內(nèi)噪聲過大所致。

    4、標稱電流大的器件在 Idm1 電位器調(diào)節(jié)時，電流會調(diào)節(jié)到80A 以上，但這個電流值并不適宜用作跨導的測量，也不適宜用作大電流的致性配對，因為在電流過 60A 后測量誤差將明顯增加，測量的讀數(shù)也變的很不穩(wěn)定。

    5、測量VDSS 和VGS(th)時，壓開關須撥在OFF 位上，測量時須采用VDSS 和 VGS(th)按鈕測量。

    6、當Idm電流過約30A 左右時，儀器內(nèi)可能會產(chǎn)生輕微的噠、噠、噠的聲音，系正?，F(xiàn)象。

    7、測試盒的插座系易損品，使用中應輕插輕拔，要盡可能的延長插座的使用壽命，禁止管腳十分毛糙的器件插入管座中，對這些管腳毛糙的器件應整平打光后再測試，但采用測試線測量法（測試線測量法見附圖）。 儀器的附件中有四個插座附件，損壞后可按測試盒接線圖自行更換，插座附件系通用接插件，用后可以到電子市場購買。

    8、兩根粗的測試線上的香蕉插頭和鱷魚夾頭，須有良好的彈性，以保持較小的接觸電阻，當彈性減弱時須行修理或更換。

9、儀器使用畢后應把Idm開關和壓開關撥在OFF 位上。

使用方法

    打開電源開關前應檢查：Idm開關和壓開關應撥在OFF 位置上。

    1、塑封率場效應管的測試： 按五條：“測試盒和附加測試線"的說明，連接好場效應管專用測試盒和專用的兩根粗的附加測試線。

    (1)、擊穿電壓 VDSS 和柵開啟電壓 VGS（th)的測量：根據(jù)被測管測量 VDSS 和 VGS （th)的術條件，選擇好Idss 開關上的電流值（在不知道測試條件時般是MOS 率場效應管選擇250uA，IGBT 選擇1mA）。把壓開關撥至ON，調(diào)節(jié)“壓調(diào)節(jié)"電位器使數(shù)字表顯示在大于被測器件擊穿電壓的 130[%]-150[%]左右，測試時只要擊穿示燈亮了就說明電壓已經(jīng)夠了，反之則再調(diào)些也無仿，注意：調(diào)好后須把“壓"開關關斷（OFF 位置上）。

    把被測的場效應管插入VDSS /VGS（th)測試座（注意：不管是TO-220 或TO-3P 封裝的，都須把中間的D 對應的插入插座中間孔“D"中）。若測VDSS 則把測試盒右測開關撥至 VDSS 位，然后按下儀器右下方的 VDSS 按鈕，電壓表立即顯示該被測管的擊穿電壓值。再把測試盒開關撥至VGS(th)位,按下儀器右下方的VGS(th)按鈕，電壓表立即顯示該被測管的柵開啟電壓值，般在2 - 6V 范圍內(nèi)。

    例：IRFZ44N測試VDSS 和VGS(th)時的Idss 電流要求為250uA，所以把Idss 開關撥至250uA, 把測試盒開關撥至VDSS，按下VDSS 測量按鈕，電壓表顯示為60V，再把測試盒開關撥至 VGS(th)，按下VGS(th)測量按鈕，電壓表顯示為2.5V。 測試結果為：擊穿電壓VDSS = 60V，柵開啟電壓VDS(th) = 2.5V 。

    (2)、跨導Gfs 的測試：測試跨導Gfs 時須使用兩根粗的附加測試線，并根據(jù)五條3 點的要求連接好，測試前儀器右上角的Idm開關須撥在OFF 上。 插上被側管，并把S2 線的鱷魚夾頭，夾住被測管的S1 腳根（注意：不要和D 短路）。把Idm開關撥至ON，會看到短路示燈亮后即滅，機內(nèi)的蜂鳴器響后又停，屬正?，F(xiàn)象。 后調(diào)節(jié)脈沖電流Idm1 粗調(diào)和細調(diào)電位器，至被測場效應管測試Gfs 參數(shù)時的電流值，當數(shù)字基本穩(wěn)定后按下脈沖電流 Idm2 測試按鈕，并讀取電流值。（分常用率場效應管的測試參數(shù)請參照后面的參數(shù)表）

    本儀器跨導Gfs 的計算方法：S = （Idm2 - Idm1）×10，般用心算即可讀取。

    例：IRFZ44N 測試跨導時的標準電流要求為25A，則粗細調(diào)節(jié)Idm1 為25.0A，當按下Idm2 按鈕時電流顯示為27.3A，則該管的跨導S = （27.3 - 25.0）×10 = 23 。 測試畢后須把Idm開關關斷（撥至OFF）方可更換另管子。 正宗某公司生產(chǎn)的同型號同批次的管子，其跨導參數(shù)的離散性般較小，測試時用抽檢方式即可。

    (3)、大電流條件下 ID 致性測試（即配對）：該方法主要用于批同型號同的場效應管，在柵壓不變的條件下，測試其大電流ID 的致性。 由于率場效應管在同柵壓條件下輸出的ID 值往往有很大的離散性，即使是同公司生產(chǎn)的同批次管子也不能保證其 ，對于不同公司生產(chǎn)的同型號管子其 ID 的差別有時候會相差很大，所以大電流條件下ID 致性測試，是用于多個并聯(lián)應用或推挽應用電路中很重要的步。（測試操作方法同跨導測試法的Idm1 電流測量）。 致性測試前請選擇好參考樣管。

    2、塑封率IGBT 管的測試： 塑封率IGBT 管的測試方法和測試率場效應管相同，所不同的僅是引出腳的名稱和被測參數(shù)的符號有區(qū)別。

    （ 率場效應管 ） （IGBT 管） 漏源擊穿電壓：VDSS 集發(fā)擊穿電壓： V(BR)CES 柵開啟電壓：VGS(th) 柵開啟電壓： VGE(th) 漏源漏電流：Idss 集發(fā)漏電流：Ices 漏電流：ID 集電電流：IC 跨導：Gfs 跨導：Gfs 漏：D 集電：C 柵：G 柵：G 源 ： S 發(fā)射：E

    3、其它封裝形式的率場效應管及IGBT 管的測試： 本儀器提供的測試盒主要用于TO-126、TO-220、TO-3P 等封裝形式的場效應管和IGBT 管的測試用，對于非上述封裝形式的器件（包括模塊型），本儀器提供有測試線，也同樣可以行參數(shù)的測量,具體的連接方法請參照“測試線測量法連接圖"。

    4、其它更大標稱電流和率的場效應管及IGBT 的測試： 雖然本儀器對器件的標稱電流和率的測量范圍界定在約85A/300W以內(nèi)，那是根據(jù)器件廠家在術條件上所規(guī)定的測量要求而已，實際上當你所使用的器件出本儀器的界定范圍以外時，儀器同樣可以行Idm=50A 的條件下測試跨導參數(shù)，同樣可以測量VDSS 和Vgs(th)。

    5、各類晶體三管、二管擊穿電壓的測試，穩(wěn)壓管、壓敏電阻電壓的測試等： 測量各類晶體三管、二管的擊穿電壓，穩(wěn)壓管、壓敏電阻電壓時的方法請看“測試線測量法